柱式傳感器電路很容易接收到外界或內(nèi)部一些無規(guī)則的噪聲或干擾信號，其實柱式傳感器設(shè)計的成功與否與干擾設(shè)計是分不開的。
　　1.低頻噪聲
??? 低頻噪聲主要是由于內(nèi)部的導電微粒不連續(xù)造成的。特別是碳膜電阻，其碳質(zhì)材料內(nèi)部存在許多微小顆粒，顆粒之間是不連續(xù)的，在電流流過時，會使電阻的導電率發(fā)生變化引起電流的變化，產(chǎn)生類似接觸不良的閃爆電弧。另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關(guān)。
　　2.高頻熱噪聲
??? 高頻熱噪聲是由于導電體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動產(chǎn)生的。溫度越高，電子運動就越激烈。導體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動會在其內(nèi)部形成很多微小的電流波動，因其是無序運動，故它的平均總電流為零，但當它作為一個元件(或作為電路的一部分)被接入放大電路后，其內(nèi)部的電流就會被放大成為噪聲源，特別是對工作在高頻頻段內(nèi)的電路高頻熱噪聲影響尤甚。
　　3.半導體器件產(chǎn)生的散粒噪聲
??? 由于半導體PN結(jié)兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應。當外加正向電壓升高時，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運動，相當于對電容充電。當正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠離耗盡區(qū)，相當于電容放電。當外加反向電壓時，耗盡區(qū)的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)時，這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電流產(chǎn)生微小波動，從而產(chǎn)生電流噪聲。其產(chǎn)生噪聲的大小與溫度、頻帶寬度△f成正比。